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Revue des Composites et des Matériaux Avancés

1169-7954
 

 ARTICLE VOL 17/3 - 2007  - pp.269-278  - doi:10.3166/rcma.17.269-278
TITRE
Étude des caractéristiques C-V des diodes à base de Sic

RÉSUMÉ
La technique CV exploite la mesure en régime de petits signaux à des fréquences relativement élevées de la capacité d'une jonction métal-semi-conducteur ou d'une jonction P+ N (ou PN+ ) polarisée en inverse par une tension Vr. L'analyse expérimentale de cette technique permet de déterminer quelques propriétés électriques des jonctions P+ N (ou PN+ ), ou Schottky. Nous décrivons ici, la méthode utilisée et nous exposons ensuite les résultats obtenus par cette technique sur des diodes à structure géométrique J.T.E (Junction Termination Extension) à base de carbure de silicium (SiC).


ABSTRACT
The C-V Technique exploits measurement in mode of small signals at relatively high frequencies of the capacity of a junction metal-semi - conductor or a junction P + N (or PN + ) polarized in reverse by a tension Vr. The experimental analysis of this technique makes it possible to determine some electric properties of the junctions P + N (or PN + ), or Schottky. We describe here, the method used and we expose then the results obtained by this technique on diodes to geometrical structure J.T.E (Junction Termination Extension) containing carbide of silicon (SiC).


AUTEUR(S)
Halima BOUCHENAFA, Samia RACHEDI, Kheir-Eddine GHAFFOUR

MOTS-CLÉS
jonction P+ N, diode Schottky, jonction à des extensions latérales, capacité tension.

KEYWORDS
Junction P + N, Schottky, Junction Termination Extension, Capacity tension.

LANGUE DE L'ARTICLE
Français

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